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  • XBD-200M-60K-A銦鎵砷 InGaAs 蝶形封裝低噪聲光電平衡探測(cè)器 1100~1700nm

    銦鎵砷 InGaAs 蝶形封裝低噪聲光電平衡探測(cè)器 1100~1700nm 應(yīng)用領(lǐng)域： 分布式光纖傳感 ,包含ψ-OTDR,C-OTDR,DAS等 激光測(cè)風(fēng)雷達(dá) 光學(xué)相干層析 其他應(yīng)用

    更新時(shí)間：2024-12-05
    產(chǎn)品型號(hào)：XBD-200M-60K-A
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  • 銦鎵砷 InGaAs雪崩光電平衡探測(cè)器 350MHz (800~1700nm)

    銦鎵砷 InGaAs雪崩光電平衡探測(cè)器 350MHz (800~1700nm)高速低噪聲雪崩光電探測(cè)模塊集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、APD溫度控制

    更新時(shí)間：2024-12-05
    產(chǎn)品型號(hào)：
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  • ET-3500F美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器

    美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器：材料：InGaAs 上升／下降時(shí)間：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 響應(yīng)度：０.６５Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞１５ＧＨｚ； 有效面積直徑：３２ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接 FC/UPC,SMF28e

    更新時(shí)間：2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào)：ET-3500F
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  • ET-5000F美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器

    美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器：材料：InGaAs 上升／下降時(shí)間：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 響應(yīng)度：0.9Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ； 帶寬：＞１０ＧＨｚ； 有效面積直徑：４０ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接,FC/UPC

    更新時(shí)間：2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào)：ET-5000F
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  • ET-3010美國EOT InGaAs 銦鎵砷光電探測(cè)器 >2 GHz

    美國EOT InGaAs 銦鎵砷光電探測(cè)器 2 GHz：材料：InGaAs 上升／下降時(shí)間：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ； 響應(yīng)度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞２ＧＨｚ； 有效面積直徑：１００ｕｍ； 輸出連接：BNC

    更新時(shí)間：2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào)：ET-3010
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