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當(dāng)前位置：首頁(yè)產(chǎn)品中心光電探測(cè)器Si硅光電探測(cè)器硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 200MHz

硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 200MHz

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 200MHz

產(chǎn)品型號(hào)：
更新時(shí)間：2024-12-07
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商
訪問(wèn)量：800
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品牌其他品牌價(jià)格區(qū)間面議
組成要素半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品及設(shè)備產(chǎn)地類(lèi)別進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域化工,建材,電子
總覽

高速低噪聲光電平衡探測(cè)模塊集成了兩個(gè)匹配的超低噪 聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電源。 具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲、高共模抑制比等 特點(diǎn)，可以有效的減少信號(hào)的共模噪聲，提高系統(tǒng)的信噪比。

產(chǎn)品型號(hào) BPD-Si-100M-B BPD-Si-200M-B BPD-Si-350M-B BPD-Si-500M-B BPD-Si-1G-B

硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 200MHz ,硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 200MHz
通用參數(shù)

產(chǎn)品特點(diǎn)

噪聲低

高增益

高帶寬

結(jié)構(gòu)緊湊

內(nèi)置低噪隔離電源


應(yīng)用領(lǐng)域

分布式光纖傳感

激光測(cè)風(fēng)雷達(dá)

光學(xué)相干層析

光譜測(cè)量

ns 級(jí)光脈沖探測(cè)


技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)

BPD-Si-100M-B

BPD-Si-200M-B

BPD-Si-350M-B

BPD-Si-500M-B

BPD-Si-1G-B

單位

探測(cè)器型號(hào)

Si

波長(zhǎng)

400~1100

400~1100

400~1100

400~1100

400~1100

nm

帶寬

100M

200M

350M

500M

1G

Hz

探測(cè)器響應(yīng)度

0.55@850nm

0.55@850nm

0.55@850nm

0.55@850nm

0.55@850nm

A/W

跨阻增益

30K

30K

30K

30K

30K

V/A

飽和輸入光功率

250

250

250

250

250

μW

NEP

12

12

12

13

13

pW/Sqrt(Hz)

共模抑制比

>25

>25

>25

>25

>25

dB

輸出阻抗

50

50

50

50

50

Ω

輸出耦合方式

DC/AC

DC/AC

DC/AC

AC

AC


供電電壓

5

5

5

12

12

V

供電電流

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

A

光學(xué)輸入

FC/APC（自由空間可選）

FC/APC（自由空間可選）

FC/APC（自由空間可選）

FC/APC（自由空間可選）

FC/APC（自由空間可選）


射頻輸出

SMA

SMA

SMA

SMA

SMA


外形尺寸

62*47*25

62*47*25

62*47*25

62*47*25

62*47*25

mm





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