追求合作共贏
Win win for you and me光器件垂直整合方案提供者
誠信經(jīng)營質(zhì)量保障價格合理服務(wù)完善當前位置:首頁 > 產(chǎn)品展示 > 光電探測器 > 砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb > 2-5.5μm紅外兩級TE冷卻InAs光浸式光伏探測器 PVIA-2TE系列
簡要描述:2-5.5μm紅外兩級TE冷卻InAs光浸式光伏探測器 PVIA-2TE系列PVIA-2TE系列是基于InAsSb合金的兩級TE冷卻紅外光伏探測器。該設(shè)備具有高達300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標要求。帶有3°楔形藍寶石(wAl2O3)窗口防止不必要的干擾影響。
產(chǎn)品分類
Product Category詳細介紹
品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 進口 |
---|---|---|---|
應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,建材,電子 |
2-5.5μm紅外兩級TE冷卻InAs光浸式光伏探測器 PVIA-2TE系列
PVIA-2TE系列是基于InAsSb合金的兩級TE冷卻紅外光伏探測器。該設(shè)備具有高達300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標要求。帶有3°楔形藍寶石(wAl2O3)窗口防止不必要的干擾影響。
產(chǎn)品特點
● 可探測紅外波長范圍2-5.5μm
● 采用兩級TE冷卻有效提高探測效率
● 可配專用前置放大器
● 高溫度穩(wěn)定性與機械耐久性
● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡以實現(xiàn)光學(xué)浸沒,提升探測器的性能
產(chǎn)品應(yīng)用
● 醫(yī)學(xué)熱成像
● 紅外光譜分析
● 中紅外氣體吸收檢測
● 中紅外激光探測
技術(shù)參數(shù)
參數(shù) | 探測器型號 | |
PVIA-2TE-3 | PVIA-2TE-5 | |
有源元件材料 | 外延InAs異質(zhì)結(jié)構(gòu) | 外延InAsSb異質(zhì)結(jié)構(gòu) |
起始波長λcut-on (10%), μm | 2.1±0.2 | 2.4±0.2 |
峰值波長λpeak(μm) | 2.9±0.3 | 4.7±0.3 |
截止波長λcut-off (10%), μm | 3.4±0.2 | 5.5±0.2 |
相對響應(yīng)強度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W | ≥5×1011 | ≥4×1010 |
電流響應(yīng)度Ri(λpeak),A/W | ≥1.3 | ≥1.5 |
時間常數(shù)T,ns | ≤15 | ≤5 |
電阻R,Ω | ≥200K | ≥1K |
元件工作溫度Tdet,K | ~230 | |
感光面尺寸A,mm×mm | 1×1 | |
封裝 | TO8 | |
接收角Φ | ~36° | |
窗口 | wAl2O3 |
TO8型封裝外形尺寸圖
參量 | 數(shù)值 |
浸沒微型透鏡形狀 | 超半球形 |
光學(xué)區(qū)域面積AO;mm×mm | 1×1 |
R,mm | 0.8 |
A,mm | 3.2±0.30 |
備注:
?—接收角度;
R—超半球微型透鏡半徑
A—2TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離
2TE-TO8引腳定義
功能 | PIN號 |
探測器 | 1,3 |
反向偏壓(可選) | 1(-),3(+) |
熱敏電阻 | 7,9 |
TE冷卻器供應(yīng) | 2(+),8(-) |
底板接地 | 11 |
未使用 | 4,5,6,10,12 |
探測器光譜響應(yīng)特性曲線
熱敏電阻特性曲線
兩級TE冷卻參數(shù)表
參量 | 數(shù)值 |
Tdet , K | ~230 |
Vmax , V | 1.3 |
Imax , A | 1.2 |
Qmax , W | 0.36 |
抗反射涂層窗口光譜透過率曲線
2-5.5μm紅外兩級TE冷卻InAs光浸式光伏探測器 PVIA-2TE系列
產(chǎn)品咨詢