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當(dāng)前位置:首頁  >  產(chǎn)品展示  >  光電探測器  >  砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb  >  2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式InAs光伏測器

2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式InAs光伏測器

簡要描述:2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式InAs光伏測器 PVIA系列具有高達300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標(biāo)要求。

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時間:2024-12-04
  • 訪  問  量:807

詳細(xì)介紹

品牌其他品牌產(chǎn)地類別進口
應(yīng)用領(lǐng)域化工,能源,建材,電子

PVIA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光探測器,通過光學(xué)浸沒來提升探測器的性能。該設(shè)備具有高達300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標(biāo)要求。

產(chǎn)品特點

可探測紅外波長范圍2-5.5μm

可配專用前置放大器

高溫度穩(wěn)定性與機械耐久性

帶有超半球微型砷化鎵透鏡以實現(xiàn)光學(xué)浸沒,提升探測器的性能

封裝及尺寸

TO8型封裝外形尺寸圖

PVIA1.pngPVIA2.png


透鏡參數(shù)


參量

數(shù)值

浸沒微型透鏡形狀

超半球形

光學(xué)區(qū)域面積AO, mm×mm

1×1

R,mm

0.8

A,mm

2.4±0.20


?—接收角度;

R—超半球微型透鏡半徑

A—超半球微型透鏡底部與焦平面的距離


引腳定義

功能

引腳號

探測器

1(-),2(+)

接地

3

產(chǎn)品應(yīng)用

熱成像

FTIR光譜學(xué)

激光外差探測

中紅外氣體分析

技術(shù)參數(shù)

參數(shù)

探測器型號

PVIA-3

PVIA-5

有源元件材料

外延InAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)

外延InAsSb異質(zhì)結(jié)構(gòu)

波長λopt(μm)

2.15±0.2

2.3±0.2

相對響應(yīng)強度D*   (λpeak),cm·Hz1/2/W

2.95±0.3

4.7±0.3

相對響應(yīng)強度D* (λopt),cm·Hz1/2/W

3.5±0.2

5.5±0.2

電流響應(yīng)度-光敏面長度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W

≥5×1010

≥5×109

時間常數(shù)T,ns

≥1.3

≥1.3

電阻R,Ω

≤20

≤15

元件工作溫度Tdet,K

≥2K

感光面尺寸A,mm×mm

1×1

封裝

TO39

接收角Φ

~36°

窗口


探測器光譜響應(yīng)特性曲線

PVIA.png



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