當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心光電探測器
product
產(chǎn)品分類美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測器:材料:InGaAs 上升/下降時(shí)間:<25ps/<25ps; 響應(yīng)度:0.65A/W@1300nm; 帶寬:>15GHz; 有效面積直徑:32um; 輸出連接:SMA 光纖連接 FC/UPC,SMF28e
美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測器:材料:InGaAs 上升/下降時(shí)間:<28ps/<28ps; 響應(yīng)度:0.9A/W@2000nm; 帶寬:>10GHz; 有效面積直徑:40um; 輸出連接:SMA 光纖連接,FC/UPC
美國EOT - 硅光電探測器 118 MHz:材料:Silicon 上升/下降時(shí)間:<3ns/<3ns; 響應(yīng)度:0.56A/W@830nm; 帶寬:>118MHz; 有效面積直徑:2.55mm; 輸出連接:BNC
美國EOT InGaAs 銦鎵砷光電探測器 2 GHz:材料:InGaAs 上升/下降時(shí)間:<175ps/<175ps; 響應(yīng)度:0.9A/W@1300nm; 帶寬:>2GHz; 有效面積直徑:100um; 輸出連接:BNC
2.2um擴(kuò)展型InGaAs光電二極管探測器:峰值波長(典型): 2.0 ± 0.1um 截止波長 (50%): 2.2 ± 0.1um 響應(yīng)度@ λP(min/typ):0.9/1.0A/W 有效直徑:3mm