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  • 2.0– 12.0 µm小型化MCT光伏型中紅外探測(cè)器
    2.0– 12.0 µm小型化MCT光伏型中紅外探測(cè)器

    2.0– 12.0 µm小型化MCT光伏型中紅外探測(cè)器是非制冷光伏探測(cè)器,基于HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu),集成跨阻、直流耦合前置放大器。它能夠在空間有限的長(zhǎng)波紅外測(cè)量系統(tǒng)中進(jìn)行組裝。

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  • 銦鎵砷 InGaAs 超大光敏面PIN光電二極管(900-1800nm,直徑10mm)
    銦鎵砷 InGaAs 超大光敏面PIN光電二極管(900-1800nm,直徑10mm)

    便于客戶供電即用,探測(cè)器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應(yīng),從而扭曲光電二極管的時(shí)域響應(yīng)。因此,我們建議使光入射在有效面積中心。為此,可以在探測(cè)器前放置聚焦透鏡或者針孔 半導(dǎo)體激光二極管。 超大光敏面 銦鎵砷(InGaAs)PIN結(jié)二極管(PD) 光電二極管(10mm)近紅外波長(zhǎng)

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  • APD芯片 四象限雪崩探測(cè)接收模塊GD4516YB
    APD芯片 四象限雪崩探測(cè)接收模塊GD4516YB

    APD芯片 四象限雪崩探測(cè)接收模塊GD4516YB其采用 InGaAs 四象限 APD芯片與低噪聲跨阻抗放大器混合集成。 銦鎵砷(InGaAs)高靈敏度大光敏元 APD芯片 四象限雪崩探測(cè)接收模塊

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  • 四象限捕獲光電探測(cè)接收模塊 1000-1650nm
    四象限捕獲光電探測(cè)接收模塊 1000-1650nm

    四象限捕獲光電探測(cè)接收模塊 1000-1650nm采用正照型四象限光電探測(cè)器與低噪聲跨阻抗放大器混合集成。其四個(gè)電壓輸出端P1、P2、P3、P4分別對(duì)應(yīng)于器件中探測(cè)器的四個(gè)象限,當(dāng)探測(cè)器的四個(gè)象限接收的光強(qiáng)變化時(shí),器件的四個(gè)電壓輸出端的電壓也會(huì)隨之線性變化。

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  • 16mm四象限Si光電探測(cè)器SIQ1600
    16mm四象限Si光電探測(cè)器SIQ1600

    16mm四象限Si光電探測(cè)器SIQ1600:器件是N型硅象限探測(cè)器,當(dāng)光輻射到器件各個(gè)象限的輻射通量相等時(shí),則各個(gè)象限輸出的光電流相等。而當(dāng)目標(biāo)發(fā)生偏移時(shí),由于象限間輻射通量的變化,引起各個(gè)象限的輸出光電流的變化,由此可測(cè)出物體的方位,從而起到跟蹤、制導(dǎo)的作用。 16mm四象限Si光電探測(cè)器/N型硅象限探測(cè)器 光敏面直徑 16mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W

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  • Alphalas UPD超快光電探測(cè)器(800-2600nm ,上升沿時(shí)間<200ps ,InGaA
    Alphalas UPD超快光電探測(cè)器(800-2600nm ,上升沿時(shí)間<200ps ,InGaA

    Alphalas UPD超快光電探測(cè)器(800-2600nm ,上升沿時(shí)間<200ps ,InGaAs;Polished; glass) 產(chǎn)品特點(diǎn) ?超高速運(yùn)行 ?上升時(shí)間:從15 ps開始 ?帶寬:高達(dá)25 GHz ?光譜范圍:170-2600 nm

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  • Alphalas UPD超快光電探測(cè)器 (800-1700nm 上升時(shí)間<35ps >1
    Alphalas UPD超快光電探測(cè)器 (800-1700nm 上升時(shí)間<35ps >1

    Alphalas UPD超快光電探測(cè)器 (800-1700nm 上升時(shí)間35ps 10GHz InGaAs) 產(chǎn)品總覽 ALPHLAS UPD系列自由空間入射超快光電探測(cè)器系列適合用于從直流到25GHz的空間光波形的測(cè)量??商峁z測(cè)最短為15ps上升時(shí)間的光脈沖信號(hào),覆蓋從170至2600nm的光譜范圍。

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  • InGaAs雪崩光電探測(cè)器
    InGaAs雪崩光電探測(cè)器

    InGaAs雪崩光電探測(cè)器 800-1700nm 100*100*25mm 響應(yīng)度 9A/W具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點(diǎn)。

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