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  • Ge 鍺 大光敏PIN光電二極管（800-1800nm 直徑 5mm）

    Ge 鍺 大光敏PIN光電二極管（800-1800nm 直徑 5mm） 筱曉光子庫存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD)，包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。我們有高速硅光電二極管。

    更新時間：2024-12-06
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  • 850nm單模光纖耦合VCSEL激光二極管（不帶TEC）

    850nm單模光纖耦合VCSEL激光二極管（不帶TEC） 筱曉光子庫存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD)，包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。我們有高速硅光電二極管

    更新時間：2024-12-06
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  • 2-5.5μm紅外兩級TE冷卻InAs光伏探測器 PVA-2TE系列

    2-5.5μm紅外兩級TE冷卻InAs光伏探測器 PVA-2TE系列 PVA-2TE系列是基于InAs 1-x Sb x合金的兩級TE冷卻紅外光伏探測器。該設(shè)備具有高達300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機械耐用，且不含汞和鎘，符合RoHS指標要求。帶有3°楔形藍寶石(wAl2O3)窗口防止不必要的干擾影響。

    更新時間：2024-12-06
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  • 2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式 InAs 砷化銦 光伏探測器 PVIA系列

    2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式 InAs 砷化銦 光伏探測器 PVIA系列 PVIA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光伏探測器,通過光學浸沒來提升探測器的性能。該設(shè)備具有高達300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機械耐用，且不含汞和鎘，符合RoHS指標要求。

    更新時間：2024-12-06
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  • InAs 和 InAsSb 光伏探測器 紅外非冷卻非浸沒 2.15-3.5μm

    InAs 和 InAsSb 光伏探測器 紅外非冷卻非浸沒 2.15-3.5μm PVA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光伏探測器。該設(shè)備具有高達300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機械耐用，且不含汞和鎘，符合RoHS指標要求

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